也許我們都知道芯片，決定LED顯示屏質(zhì)量好壞的關(guān)鍵因素也在于芯片的質(zhì)量。那你有沒有聽過倒裝芯片嗎？其實(shí)倒裝芯片之所以被稱為“倒裝”是相對于傳統(tǒng)的金屬線鍵合連接方式（Wire Bonding）與植球后的工藝而言的。傳統(tǒng)的通過金屬線鍵合與基板連接的晶片電氣面朝上，而倒裝晶片的電氣面朝下，相當(dāng)于將前者翻轉(zhuǎn)過來，故稱其為“倒裝芯片”。

倒裝LED芯片，通過MOCVD技術(shù)在藍(lán)寶石襯底上生長GaN基LED結(jié)構(gòu)層，由P/N結(jié)發(fā)光區(qū)發(fā)出的光透過上面的P型區(qū)射出。由于P型GaN傳導(dǎo)性能不佳，為獲得良好的電流擴(kuò)展，需要通過蒸鍍技術(shù)在P區(qū)表面形成一層Ni- Au組成的金屬電極層。P區(qū)引線通過該層金屬薄膜引出。為獲得好的電流擴(kuò)展，Ni-Au金屬電極層就不能太薄。為此，器件的發(fā)光效率就會受到很大影響，通常要同時(shí)兼顧電流擴(kuò)展與出光效率二個(gè)因素。但無論在什麼情況下，金屬薄膜的存在，總會使透光性能變差。此外，引線焊點(diǎn)的存在也使器件的出光效率受到影響。

但是倒裝芯片沒有通過藍(lán)寶石散熱，可通大電流使用；其次尺寸可以做到更小，光學(xué)更容易匹配；再是散熱功能的提升，使芯片的壽命得到了提升。

目前的倒裝技術(shù)也可以細(xì)分為兩類，一類是在藍(lán)寶石芯片基礎(chǔ)上倒裝，藍(lán)寶石襯底保留，利于散熱，但是電流密度提升并不明顯；另一類是倒裝結(jié)構(gòu)并剝離了襯底材料，可以大幅度提升電流密度。

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